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电荷中心与原子轨路地位的失配--原子阻塞绝缘体

2025.11.17

投稿:邵奋芬部门:理学院浏览次数:

活动信息

汇报标题 (Title):电荷中心与原子轨路地位的失配--原子阻塞绝缘体

汇报人 (Speaker):邵德喜 副教授(荆门师范大学)

汇报功夫 (Time):2025年11月18日(周二)9:00-10:30

汇报地址 (Place):宝山校区G601

约请人(Inviter):周黎红

主办部门:量子科技钻研院/理学院物理系

汇报提要:

近十余年来,拓扑物态的钻研在理论与尝试层面均获得了显著进展 。本汇报将从兼容性关系与原子轨路诱导暗示启程,系统介绍多种由对称性 ;さ耐仄司堤逦锾,并沉点探淘熹中一类特殊拓扑态——原子阻塞绝缘体(OAI) 。该物态源于电荷散布中心与原子轨路地位之间的失配,对电子化合物拥有沉要批示意思  ;诘谝恍缘览硗扑阌雓·p 哈密顿量分析,我们发现高压相 t-YCl 为 nodal chain 半金属,在思考自旋轨路耦合后转变为 Dirac 半金属 。进一步结合原子轨路诱导暗示与电荷局域函数分析,揭示该系统亦为 OAI 所批示的拓扑电子化合物 。此表,OAI 与高阶拓扑绝缘体之间存在亲昵联系,j9国际集团钻研批注,高压下的 Ca-I 可实现由单能带诱导的磁性高阶拓扑绝缘体 。

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