2014新兴电子资料和器件物理国际学术钻研会
会议功夫：2014年6月10日-13日
报到功夫：2014年6月10日
报到地址：j9国际集团校本部乐乎新楼
主办单元：理学院物理系
联 系 人：理学院任伟教授
联系方式：021-66132812
组织人员、参会人员、会议日程、交通讯息：请见会议网站 http://pmedia.shu.edu.cn/eemd
会议介绍：半导体微电子器件是现代信息技术的基础，随着技术的发展和需要的提升，半导体微电子器件的集成度越来越高，尺寸越来越幼，到今天已经达到纳米量级。人们在钻研纳米电子器件的过程中成立起来的一门新兴学科被称为纳米电子学。在微电子时期，“电子设计自动化”（EDA）步骤已经被工业界宽泛使用。而纳米电子系统的性质与资料自身的化学个性以及原子结构亲昵有关，对表界环境尤其是化学环境比力敏感，且元件重要在非平衡前提下工作。这些变动导致原来微电子器件的EDA步骤不再合用于纳米电子器件的设计，从而有必要发展一种相宜的理论框架及相应的建模工具，以便在原子尺度定量地预测纳米系统的本征量子输运性质。同时，工业界也必要一套基于量子输运理论所构建的纳米电子学自动化设计解决规划（nano-EDA）。
凝聚态物理和资料物理学中利用最为宽泛的原子尺度推算步骤是基于密度泛函理论（DFT）的；而量子输运的根基步骤令是基于Keldysh非平衡格林函数理论（NEGF）和散射矩阵理论（SMT）。这些步骤经过持久的发展，已较为成熟，且相互之间联系较为缜密。但是，若不依赖参数地预测大无数纳米结构的非线性以及非平衡态的量子输运性质，则必要将量子输运理论（NEGF、SMT）和密度泛函理论(DFT)结合在一路，由DFT描述系统的电子结构，再由NEGF或者SMT步骤基于DFT的了局对纳米结构的量子输运性质进行第一性道理模拟，即NEGF-DFT或SMT-DFT。在从前几年的实际中，这些步骤成功地利用于纳米系统量子输运性质的预测，例如半导体太阳能电池、纳米线场效应晶体管、磁隧路结、磁随机存储器(MRAM)、自旋泵、热电元件、自旋-轨路耦合作用传感器、拓扑绝缘体、碳纳米电子学、自旋转移矩(spin transfer torque)、电子迁徙、器件互联、扫描隧路电子显微镜图像模拟、分子电子学和纳米尺度生物传感器等。对这些拥有沉要现实意思的纳米电子元件进行第一性道理钻研，是一个诞生不久且发展迅速的领域。在对该领域一些根基问题的概想上和具体实现的伎俩上，国际、国内各个钻研组的概想尚不统一，极度必要一个互换的平台，让学者们畅所欲言，相互探求。这次钻研会晤向对纳米电子器件的钻研与设计感兴致的钻研人员和学生，介绍国内表在这个领域的最新进展，互换、探求该领域在将来的发展方向，并为加强国际、国内“理论——尝试——产业”三方面的钻研人员之间的合作创造环境。
